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文献
J-GLOBAL ID：201902283865528069
整理番号：19A1414950
nドープGaN層上の薄い炭素ドープGaNにおける電荷とポテンシャル再分布によるブロッキング特性の相互作用【JST・京大機械翻訳】
The interplay of blocking properties with charge and potential redistribution in thin carbon-doped GaN on n-doped GaN layers
Koller Christian
(Institute of Solid State Electronics, TU Wien, Floragasse 7, 1040 Vienna, Austria)
,
Pobegen Gregor
(KAI GmbH, Europastrasse 8, 9524 Villach, Austria)
,
Ostermaier Clemens
(Infineon Technologies Austria AG, Siemensstrasse 2, 9500 Villach, Austria)
,
Huber Martin
(Infineon Technologies Austria AG, Siemensstrasse 2, 9500 Villach, Austria)
,
Pogany Dionyz
(Institute of Solid State Electronics, TU Wien, Floragasse 7, 1040 Vienna, Austria)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 111 号： 3 ページ： 032106-032106-5 発行年： 2017年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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