文献
J-GLOBAL ID:201902284308000850
整理番号:19A2091514
高温アニーリングに適合する一時的SiC-SiCウエハボンディング【JST・京大機械翻訳】
Temporary SiC-SiC Wafer Bonding Compatible with High Temperature Annealing
著者 (4件):
Mu Fengwen
(The University of Tokyo)
,
Suga Tadatomo
(The University of Tokyo)
,
Uomoto Miyuki
(Tohoku University)
,
Shimatsu Takehito
(Tohoku University)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2019
号:
ECTC
ページ:
989-994
発行年:
2019年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)