文献
J-GLOBAL ID:201902285172272261
整理番号:19A1413854
高分子電界効果トランジスタにおける電荷輸送に対する周囲およびゲート誘電体からの偏光効果【JST・京大機械翻訳】
Polarization effects from the ambient and the gate dielectric on charge transport in polymer field-effect transistors
著者 (2件):
Kim Seohee
(Microelectronic Research Center, The University of Texas at Austin, Austin, Texas 78758, USA)
,
Dodabalapur Ananth
(Microelectronic Research Center, The University of Texas at Austin, Austin, Texas 78758, USA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
110
号:
24
ページ:
243302-243302-4
発行年:
2017年
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)