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J-GLOBAL ID：201902285628089829 整理番号：19A1200216

Ar/C_4F_8/O_2混合物を用いたSiO_2における高アスペクト比特徴のプラズマエッチング:計算研究【JST・京大機械翻訳】

Plasma etching of high aspect ratio features in SiO₂ using Ar/C₄F₈/O₂ mixtures: A computational investigation

著者 (7件)：

Huang Shuo

(Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of Michigan, 1301 Beal Ave., Ann Arbor, Michigan 48109-2122)

Huard Chad

(Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of Michigan, 1301 Beal Ave., Ann Arbor, Michigan 48109-2122)

Shim Seungbo

(Samsung Electronics Co., Ltd., 129 Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do 443-742, Republic of Korea)

Nam Sang Ki

(Samsung Electronics Co., Ltd., 129 Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do 443-742, Republic of Korea)

Song In-Cheol

(Samsung Electronics Co., Ltd., 129 Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do 443-742, Republic of Korea)

Lu Siqing

(Samsung Electronics Co., Ltd., 129 Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do 443-742, Republic of Korea)

Kushner Mark J.

(Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of Michigan, 1301 Beal Ave., Ann Arbor, Michigan 48109-2122)

資料名：

Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)

巻： 37 号： 3 ページ： 031304-031304-26 発行年： 2019年
JST資料番号： C0789B ISSN： 0734-2101 CODEN： JVTAD6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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