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文献
J-GLOBAL ID：201902286077851412
整理番号：19A1798792
真空蒸着により作製したビスマス媒介Geナノドットの形成機構に関する研究
Study on the formation mechanism of bismuth-mediated Ge nanodots fabricated by vacuum evaporation
TSUSHIMA Kazuto
(Hirosaki Univ., Aomori, JPN)
,
TAKITA Kensuke
(Hirosaki Univ., Aomori, JPN)
,
TAKITA Kensuke
(Hokkaido Electric Power Co., Inc.)
,
NAKAZAWA Hideki
(Hirosaki Univ., Aomori, JPN)
,
TAWARA Takehiko
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
,
TATENO Kouta
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
,
ZHANG Guoqiang
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
,
GOTOH Hideki
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
,
OKAMOTO Hiroshi
(Hirosaki Univ., Aomori, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58 号： SD ページ： SDDG10.1-SDDG10.5 発行年： 2019年06月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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