文献
J-GLOBAL ID:201902286120295324
整理番号:19A1414529
マルチレベルセルNANDメモリ応用のためのIGZO薄膜トランジスタにおける均一酸化物スタック【JST・京大機械翻訳】
Homogeneous-oxide stack in IGZO thin-film transistors for multi-level-cell NAND memory application
著者 (4件):
Ji Hao
(Central of Nano-electronics, School of Microelectronics, Shandong University, Jinan 250100, China)
,
Wei Yehui
(Central of Nano-electronics, School of Microelectronics, Shandong University, Jinan 250100, China)
,
Zhang Xinlei
(Central of Nano-electronics, School of Microelectronics, Shandong University, Jinan 250100, China)
,
Jiang Ran
(Central of Nano-electronics, School of Microelectronics, Shandong University, Jinan 250100, China)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
111
号:
20
ページ:
202102-202102-5
発行年:
2017年
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)