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文献
J-GLOBAL ID：201902286245361525
整理番号：19A2304306
WSe_2電界効果トランジスタにモノリシックに集積したVO_2におけるゲート調整可能な熱的金属-絶縁体転移【JST・京大機械翻訳】
Gate-Tunable Thermal Metal-Insulator Transition in VO2 Monolithically Integrated into a WSe2 Field-Effect Transistor
Yamamoto Mahito
(Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, Osaka, Japan)
,
Nouchi Ryo
(Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture University, Osaka, Japan)
,
Nouchi Ryo
(JST PRESTO, Saitama, Japan)
,
Kanki Teruo
(Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, Osaka, Japan)
,
Hattori Azusa N.
(Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, Osaka, Japan)
,
Hattori Azusa N.
(JST PRESTO, Saitama, Japan)
,
Watanabe Kenji
(National Institute for Materials Science, Ibaraki, Japan)
,
Taniguchi Takashi
(National Institute for Materials Science, Ibaraki, Japan)
,
Ueno Keiji
(Department of Chemistry, Graduate School of Science and Engineering, Saitama University, Japan)
,
Tanaka Hidekazu
(Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, Osaka, Japan)
資料名：
ACS Applied Materials & Interfaces
(ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 11 号： 3 ページ： 3224-3230 発行年： 2019年
JST資料番号： W2329A ISSN： 1944-8244 CODEN： AAMICK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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