前のページに戻る この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写(冊子体のコピー)をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID:201902286245361525   整理番号:19A2304306

WSe_2電界効果トランジスタにモノリシックに集積したVO_2におけるゲート調整可能な熱的金属-絶縁体転移【JST・京大機械翻訳】

Gate-Tunable Thermal Metal-Insulator Transition in VO2 Monolithically Integrated into a WSe2 Field-Effect Transistor
著者 (10件):
Yamamoto Mahito
(Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, Osaka, Japan)
Nouchi Ryo
(Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture University, Osaka, Japan)
Nouchi Ryo
(JST PRESTO, Saitama, Japan)
Kanki Teruo
(Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, Osaka, Japan)
Hattori Azusa N.
(Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, Osaka, Japan)
Hattori Azusa N.
(JST PRESTO, Saitama, Japan)
Watanabe Kenji
(National Institute for Materials Science, Ibaraki, Japan)
Taniguchi Takashi
(National Institute for Materials Science, Ibaraki, Japan)
Ueno Keiji
(Department of Chemistry, Graduate School of Science and Engineering, Saitama University, Japan)
Tanaka Hidekazu
(Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, Osaka, Japan)

資料名:
ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)

巻: 11  号:ページ: 3224-3230  発行年: 2019年 
JST資料番号: W2329A  ISSN: 1944-8244  CODEN: AAMICK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写(コピー)して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写(コピー)は郵送またはFAXでお送りします

※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。