文献
J-GLOBAL ID:201902286865491953
整理番号:19A1827362
SiGeチャネルCMOS 絶縁破壊とBias温度不安定性トレードオフの理解【JST・京大機械翻訳】
SiGe Channel CMOS: Understanding Dielectric Breakdown and Bias Temperature Instability Tradeoffs
著者 (6件):
Southwick R. G.
(IBM Research, 257 Fuller Road Suite 3100, Albany, NY, 12203)
,
Wang M.
(IBM Research, 257 Fuller Road Suite 3100, Albany, NY, 12203)
,
Mochizuki S.
(IBM Research, 257 Fuller Road Suite 3100, Albany, NY, 12203)
,
Miao X.
(IBM Research, 257 Fuller Road Suite 3100, Albany, NY, 12203)
,
Li J.
(IBM Research, 257 Fuller Road Suite 3100, Albany, NY, 12203)
,
Lee C. H.
(IBM Research, 257 Fuller Road Suite 3100, Albany, NY, 12203)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2019
号:
VLSI Technology
ページ:
T96-T97
発行年:
2019年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)