文献
J-GLOBAL ID:201902286993232115
整理番号:19A1414333
InPに整合した低ドープn-InGaAs格子における重および軽正孔少数キャリア輸送特性【JST・京大機械翻訳】
Heavy and light hole minority carrier transport properties in low-doped n-InGaAs lattice matched to InP
著者 (2件):
Walker Alexandre W.
(National Research Council of Canada, 1200 Montreal Road, M-50, Ottawa, Ontario K1A 0R6, Canada)
,
Denhoff Mike W.
(National Research Council of Canada, 1200 Montreal Road, M-50, Ottawa, Ontario K1A 0R6, Canada)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
111
号:
16
ページ:
162107-162107-5
発行年:
2017年
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)