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文献
J-GLOBAL ID：201902287048958996
整理番号：19A1415802
p型GaNナノワイヤのドーピング過程:第一原理研究【JST・京大機械翻訳】
Doping process of p-type GaN nanowires: A first principle study
Xia Sihao
(Department of Optoelectronic Technology, School of Electronic and Optical Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing 210094, China)
,
Liu Lei
(Department of Optoelectronic Technology, School of Electronic and Optical Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing 210094, China)
,
Diao Yu
(Department of Optoelectronic Technology, School of Electronic and Optical Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing 210094, China)
,
Feng Shu
(Department of Optoelectronic Technology, School of Electronic and Optical Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing 210094, China)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 122 号： 13 ページ： 135102-135102-8 発行年： 2017年
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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