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J-GLOBAL ID:201902287319912566   整理番号:19A0626043

分子ビームエピタクシーによるGaP成長に対するGa吸着原子拡散長の評価【JST・京大機械翻訳】

Estimation of Ga adatom diffusion length for GaP growth by molecular beam epitaxy
著者 (8件):
Piedra-Lorenzana Jose A.
(Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology, Toyohashi, Aichi 441-8580, Japan)
Yamane Keisuke
(Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology, Toyohashi, Aichi 441-8580, Japan)
Shiota Koki
(Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology, Toyohashi, Aichi 441-8580, Japan)
Fujimoto Junya
(Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology, Toyohashi, Aichi 441-8580, Japan)
Tanaka Shunsuke
(Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology, Toyohashi, Aichi 441-8580, Japan)
Sekiguchi Hiroto
(Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology, Toyohashi, Aichi 441-8580, Japan)
Okada Hiroshi
(Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology, Toyohashi, Aichi 441-8580, Japan)
Wakahara Akihiro
(Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology, Toyohashi, Aichi 441-8580, Japan)

資料名:
Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)

巻: 512  ページ: 37-40  発行年: 2019年 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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