文献
J-GLOBAL ID:201902287382051592
整理番号:19A1414406
ダイヤモンドMOSFETのための深い空乏概念【JST・京大機械翻訳】
Deep depletion concept for diamond MOSFET
著者 (8件):
Pham T. T.
(Univ. Grenoble Alpes, F-38042 Grenoble, France)
,
Rouger N.
(Universite de Toulouse; LAPLACE; CNRS; INPT; UPS, F-31071 Toulouse, France)
,
Masante C.
(Univ. Grenoble Alpes, F-38042 Grenoble, France)
,
Chicot G.
(Univ. Grenoble Alpes, F-38042 Grenoble, France)
,
Udrea F.
(Department of Engineering, The University of Cambridge, CB2 1PZ Cambridge, United Kingdom)
,
Eon D.
(Univ. Grenoble Alpes, F-38042 Grenoble, France)
,
Gheeraert E.
(Univ. Grenoble Alpes, F-38042 Grenoble, France)
,
Pernot J.
(Univ. Grenoble Alpes, F-38042 Grenoble, France)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
111
号:
17
ページ:
173503-173503-4
発行年:
2017年
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)