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文献
J-GLOBAL ID：201902287449565544
整理番号：19A1196068
RFスパッタリングとプラズマ増強原子層堆積により堆積したHfO_2膜の構造と電気特性【JST・京大機械翻訳】
Structural and Electrical Characteristics of HfO2 Film Deposited by RF Sputtering and Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition
Singh Prashant
(Department of Electronics and Communication, Indian Institute of Information Technology-Allahabad, Allahabad, Uttar Pradesh, India)
,
Jha Rajesh Kumar
(Department of Electronics and Communication, Indian Institute of Information Technology-Allahabad, Allahabad, Uttar Pradesh, India)
,
Singh Rajat Kumar
(Department of Electronics and Communication, Indian Institute of Information Technology-Allahabad, Allahabad, Uttar Pradesh, India)
,
Singh B. R.
(Department of Electronics and Communication, Indian Institute of Information Technology-Allahabad, Allahabad, Uttar Pradesh, India)
資料名：
Springer Proceedings in Physics
(Springer Proceedings in Physics)
巻： 215 ページ： 517-524 発行年： 2019年
JST資料番号： W5066A ISSN： 0930-8989 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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