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文献
J-GLOBAL ID：201902288182900079
整理番号：19A1409318
単結晶有機電界効果トランジスタにおける偏光依存光誘起Bias-応力効果【JST・京大機械翻訳】
Polarization-Dependent Photoinduced Bias-Stress Effect in Single-Crystal Organic Field-Effect Transistors
Choi Hyun Ho
(Department of Physics, Rutgers University)
,
Choi Hyun Ho
(Department of Chemical Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), South Korea)
,
Najafov Hikmet
(Department of Physics, Rutgers University)
,
Kharlamov Nikolai
(National University of Science and Technology MISiS, Russia)
,
Kuznetsov Denis V.
(National University of Science and Technology MISiS, Russia)
,
Didenko Sergei I.
(National University of Science and Technology MISiS, Russia)
,
Cho Kilwon
(Department of Chemical Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), South Korea)
,
Briseno Alejandro L.
(Department of Polymer Science & Engineering, University of Massachusetts, Massachusetts, United States)
,
Podzorov Vitaly
(Department of Physics, Rutgers University)
,
Podzorov Vitaly
(Institute for Advanced Materials and Devices for Nanotechnology, Rutgers University)
,
Podzorov Vitaly
(National University of Science and Technology MISiS, Russia)
資料名：
ACS Applied Materials & Interfaces
(ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9 号： 39 ページ： 34153-34161 発行年： 2017年10月04日
JST資料番号： W2329A ISSN： 1944-8244 CODEN： AAMICK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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