文献
J-GLOBAL ID:201902288464737972
整理番号:19A2733968
次世代半導体デバイス用めっき銅配線薄膜の結晶性向上手法の確立
Improvement method of the crystallinity of electroplated copper thin films for next-generation interconnections of electronic devices
著者 (3件):
LIU Jiatong
(東北大院)
,
鈴木研
(東北大)
,
三浦英生
(東北大)
資料名:
日本機械学会東北支部総会・講演会講演論文集(Web)
(Proceedings of Conference of Tohoku Branch, Japan Society of Mechanical Engineers (Web))
巻:
2017.52
ページ:
147(J-STAGE)
発行年:
2017年
JST資料番号:
U1727A
ISSN:
2424-2713
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)