文献
J-GLOBAL ID:201902288908380695
整理番号:19A1414091
自然SiO_2層の局在絶縁破壊によるSi基板上の強磁性体のOERSTED場誘起スイッチング【JST・京大機械翻訳】
Oersted-field-induced switching of a ferromagnet on a Si substrate via localized dielectric breakdown of the native SiO2 layer
著者 (5件):
Polushkin N. I.
(Institute for Physics of Microstructures of Russian Academy of Sciences, 603950 GSP-105, Nizhny Novgorod, Russia)
,
Sapozhnikov M. V.
(Institute for Physics of Microstructures of Russian Academy of Sciences, 603950 GSP-105, Nizhny Novgorod, Russia)
,
Gusev N. S.
(Institute for Physics of Microstructures of Russian Academy of Sciences, 603950 GSP-105, Nizhny Novgorod, Russia)
,
Vdovichev S. N.
(Institute for Physics of Microstructures of Russian Academy of Sciences, 603950 GSP-105, Nizhny Novgorod, Russia)
,
Drozdov M. N.
(Institute for Physics of Microstructures of Russian Academy of Sciences, 603950 GSP-105, Nizhny Novgorod, Russia)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
111
号:
1
ページ:
012401-012401-5
発行年:
2017年
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)