文献
J-GLOBAL ID:201902288979861309
整理番号:19A0524794
高電力密度高効率絶縁金属基板ベースGaN HEMTパワーモジュール【JST・京大機械翻訳】
A high power-density and high efficiency insulated metal substrate based GaN HEMT power module
著者 (3件):
Lu Juncheng Lucas
(GaN Systems Inc Ottawa, Canada)
,
Chen Di
(GaN Systems Inc Ottawa, Canada)
,
Yushyna Lyubov
(GaN Systems Inc Ottawa, Canada)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
ECCE
ページ:
3654-3658
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)