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文献
J-GLOBAL ID：201902289288586085
整理番号：19A1409810
n-GQDsの内部Zスキーム電荷移動に基づくBiOCl/BiVO_4/n-GQD三元ヘテロ接合の可視光光活性の増強 同時バンドギャップ狭まりとキャリア寿命延長【JST・京大機械翻訳】
Boosting the Visible-Light Photoactivity of BiOCl/BiVO4/N-GQD Ternary Heterojunctions Based on Internal Z-Scheme Charge Transfer of N-GQDs: Simultaneous Band Gap Narrowing and Carrier Lifetime Prolonging
Zhu Mingyue
(School of Chemistry and Chemical Engineering, Jiangsu University)
,
Liu Qian
(Key Laboratory of Modern Agriculture Equipment and Technology, Jiangsu University)
,
Chen Wei
(School of Chemistry and Chemical Engineering, Jiangsu University)
,
Yin Yuanyuan
(School of Chemistry and Chemical Engineering, Jiangsu University)
,
Ge Lan
(School of Chemistry and Chemical Engineering, Jiangsu University)
,
Li Henan
(School of Chemistry and Chemical Engineering, Jiangsu University)
,
Wang Kun
(School of Chemistry and Chemical Engineering, Jiangsu University)
資料名：
ACS Applied Materials & Interfaces
(ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9 号： 44 ページ： 38832-38841 発行年： 2017年11月08日
JST資料番号： W2329A ISSN： 1944-8244 CODEN： AAMICK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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