文献
J-GLOBAL ID:201902289358228034
整理番号:19A2091641
GaNオンダイヤモンドHEMTの熱設計に及ぼす熱境界抵抗の影響【JST・京大機械翻訳】
Impact of Thermal Boundary Resistance on the Thermal Design of GaN-on-Diamond HEMTs
著者 (3件):
Guo Huaixin
(Nanjing Electronic Devices Institute)
,
Kong Yuechan
(Nanjing Electronic Devices Institute)
,
Chen Tangsheng
(Nanjing Electronic Devices Institute)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2019
号:
ECTC
ページ:
1842-1847
発行年:
2019年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)