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文献
J-GLOBAL ID：201902289520140187
整理番号：19A1414190
プラズマ支援原子層堆積により成長させた軽ドープLa:HfO_2薄膜の強誘電特性【JST・京大機械翻訳】
Ferroelectric properties of lightly doped La:HfO2 thin films grown by plasma-assisted atomic layer deposition
Kozodaev M. G.
(Moscow Institute of Physics and Technology, Institutskii per. 9, 141700 Dolgoprudny, Moscow region, Russia)
,
Chernikova A. G.
(Moscow Institute of Physics and Technology, Institutskii per. 9, 141700 Dolgoprudny, Moscow region, Russia)
,
Korostylev E. V.
(Moscow Institute of Physics and Technology, Institutskii per. 9, 141700 Dolgoprudny, Moscow region, Russia)
,
Park M. H.
(NaMLab gGmbH/TU Dresden, Noethnitzer Strasse 64, 01187 Dresden, Germany)
,
Schroeder U.
(NaMLab gGmbH/TU Dresden, Noethnitzer Strasse 64, 01187 Dresden, Germany)
,
Hwang C. S.
(Department of Materials Science and Engineering and Inter-University Semiconductor Research Center, Seoul National University, Seoul 08826, South Korea)
,
Markeev A. M.
(Moscow Institute of Physics and Technology, Institutskii per. 9, 141700 Dolgoprudny, Moscow region, Russia)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 111 号： 13 ページ： 132903-132903-5 発行年： 2017年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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