文献
J-GLOBAL ID:201902289549445107
整理番号:19A0025877
加圧後硫化プロセスにより作製した8.7%効率の共電着Cu_2zn_4光起電素子【JST・京大機械翻訳】
An 8.7% efficiency co-electrodeposited Cu2ZnSnS4 photovoltaic device fabricated via a pressurized post-sulfurization process
著者 (3件):
Zhang Chuanjun
(National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China)
,
Tao Jiahua
,
Chu Junhao
資料名:
Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices
(Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻:
6
号:
48
ページ:
13275-13282
発行年:
2018年
JST資料番号:
W2383A
ISSN:
2050-7526
CODEN:
JMCCCX
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)