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文献
J-GLOBAL ID：201902289651953418
整理番号：19A1873436
シンクロトロンX線トポグラフィーによる物理気相輸送成長AlN単結晶基板における転位とそれらのアレイの観察
Observation of dislocations and their arrays in physical vapor transport-grown AlN single-crystal substrate by synchrotron X-ray topography
YAO Yongzhao
(Japan Fine Ceramics Center, Nagoya, JPN)
,
SUGAWARA Yoshihiro
(Japan Fine Ceramics Center, Nagoya, JPN)
,
ISHIKAWA Yukari
(Japan Fine Ceramics Center, Nagoya, JPN)
,
OKADA Narihito
(Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN)
,
TADATOMO Kazuyuki
(Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN)
,
TAKAHASHI Yumiko
(Nihon Univ., Funabashi, JPN)
,
HIRANO Keiichi
(High Energy Accelerator Res. Organization, Tsukuba, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58 号： SC ページ： SCCB29.1-SCCB29.5 発行年： 2019年06月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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