文献
J-GLOBAL ID:201902289683189051
整理番号:19A0524545
GaN HEMTにおけるR_ONの増加-温度または捕獲効果【JST・京大機械翻訳】
Ron increase in GaN HEMTs - Temperature or trapping effects
著者 (4件):
Bocker Jan
(Technische Universitaet Berlin, Power Electronics Group, Berlin, Germany)
,
Kuring Carsten
(Technische Universitaet Berlin, Power Electronics Group, Berlin, Germany)
,
Tannhauser Marvin
(Siemens AG, CT REE SDI, Erlangen, Germany)
,
Dieckerhoff Sibylle
(Technische Universitaet Berlin, Power Electronics Group, Berlin, Germany)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
ECCE
ページ:
1975-1981
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)