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文献
J-GLOBAL ID：201902289779198968
整理番号：19A0367373
高電子移動度(約1500cm2V-1s-1)を持つAlGaN/GaNヘテロ構造を作製するための反応性イオンエッチング処理をしたGaN表面上に直接成長したAlGaNの有機金属気相エピタキシャル成長:反応性イオンエッチング損傷層除去の効果
Metalorganic vapor phase epitaxial growth of AlGaN directly on reactive-ion etching-treated GaN surfaces to prepare AlGaN/GaN heterostructures with high electron mobility (~1500 cm2V-1s-1): Impacts of reactive-ion etching-damaged layer removal
YAMAMOTO Akio
(Univ. Fukui, Fukui, JPN)
,
KANATANI Keito
(Univ. Fukui, Fukui, JPN)
,
MAKINO Shinya
(Univ. Fukui, Fukui, JPN)
,
KUZUHARA Masaaki
(Univ. Fukui, Fukui, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57 号： 12 ページ： 125501.1-125501.5 発行年： 2018年12月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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