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文献
J-GLOBAL ID：201902290415087101
整理番号：19A1410342
AlN系深紫外透明ガラス電極を用いた高効率深紫外発光ダイオード【JST・京大機械翻訳】
Highly Efficient Deep-UV Light-Emitting Diodes Using AlN-Based Deep-UV-Transparent Glass Electrodes
Lee Tae Ho
(School of Electrical Engineering, Korea University, Republic of Korea)
,
Lee Byeong Ryong
(School of Electrical Engineering, Korea University, Republic of Korea)
,
Son Kyung Rock
(School of Electrical Engineering, Korea University, Republic of Korea)
,
Shin Hee Woong
(School of Electrical Engineering, Korea University, Republic of Korea)
,
Shin Hee Woong
(LED R&D Center, LED Division, LG Innotek Co., Ltd., Republic of Korea)
,
Kim Tae Geun
(School of Electrical Engineering, Korea University, Republic of Korea)
資料名：
ACS Applied Materials & Interfaces
(ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9 号： 50 ページ： 43774-43781 発行年： 2017年12月20日
JST資料番号： W2329A ISSN： 1944-8244 CODEN： AAMICK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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