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文献
J-GLOBAL ID：201902290478828031
整理番号：19A1415432
二重井戸二重障壁GaN/AlGaN/GaN共鳴トンネルダイオードのモデリングと最適化【JST・京大機械翻訳】
Modeling and optimization of a double-well double-barrier GaN/AlGaN/GaN/AlGaN resonant tunneling diode
Liu Yang
(Key Laboratory for Microelectronics, College of Physical Science and Technology, Sichuan University, Chengdu, Sichuan 610064, China)
,
Gao Bo
(Key Laboratory for Microelectronics, College of Physical Science and Technology, Sichuan University, Chengdu, Sichuan 610064, China)
,
Gong Min
(Key Laboratory for Microelectronics, College of Physical Science and Technology, Sichuan University, Chengdu, Sichuan 610064, China)
,
Shi Ruiying
(Key Laboratory for Microelectronics, College of Physical Science and Technology, Sichuan University, Chengdu, Sichuan 610064, China)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 121 号： 21 ページ： 215701-215701-6 発行年： 2017年
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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