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文献
J-GLOBAL ID：201902291081365899
整理番号：19A1408180
半導体単層カーボンナノチューブに基づく耐放射線性相補集積回路【JST・京大機械翻訳】
Radiation-Hard Complementary Integrated Circuits Based on Semiconducting Single-Walled Carbon Nanotubes
McMorrow Julian J.
(Department of Materials Science and Engineering, Northwestern University)
,
Cress Cory D.
(U.S. Naval Research Laboratory, D.C., United States)
,
Gaviria Rojas William A.
(Department of Materials Science and Engineering, Northwestern University)
,
Geier Michael L.
(Department of Materials Science and Engineering, Northwestern University)
,
Marks Tobin J.
(Department of Materials Science and Engineering, Northwestern University)
,
Marks Tobin J.
(Department of Chemistry, Northwestern University)
,
Hersam Mark C.
(Department of Materials Science and Engineering, Northwestern University)
,
Hersam Mark C.
(Department of Chemistry, Northwestern University)
,
Hersam Mark C.
(Department of Electrical Engineering and Computer Science, Northwestern University)
資料名：
ACS Nano
(ACS Nano)
巻： 11 号： 3 ページ： 2992-3000 発行年： 2017年03月
JST資料番号： W2326A ISSN： 1936-0851 CODEN： ANCAC3 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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