文献
J-GLOBAL ID:201902291263689767
整理番号:19A1873423
ナノビームX線回折を用いた修正NaフラックスGaN結晶の成長方向における格子面微細構造の定量分析
Quantitative analysis of lattice plane microstructure in the growth direction of a modified Na-flux GaN crystal using nanobeam X-ray diffraction
著者 (9件):
SHIDA Kazuki
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
YAMAMOTO Nozomi
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
TOHEI Tetsuya
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
IMANISHI Masayuki
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
MORI Yusuke
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
SUMITANI Kazushi
(Japan Synchrotron Radiation Res. Inst. (JASRI), Hyogo, JPN)
,
IMAI Yasuhiko
(Japan Synchrotron Radiation Res. Inst. (JASRI), Hyogo, JPN)
,
KIMURA Shigeru
(Japan Synchrotron Radiation Res. Inst. (JASRI), Hyogo, JPN)
,
SAKAI Akira
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
58
号:
SC
ページ:
SCCB16.1-SCCB16.6
発行年:
2019年06月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)