前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201902291437990459
整理番号：19A1455052
室温での表面活性化結合により作製したGaAs/Si界面の結晶度に及ぼすAr原子照射の影響【JST・京大機械翻訳】
Impact of Ar atom irradiation on the crystallinity of GaAs/Si interfaces fabricated by surface activated bonding at room temperature
Ohno Yutaka
(Institute for Materials Research (IMR), Tohoku University, Sendai, 980-8577, Japan)
,
Miyagawa Reina
(Department of Physical Science and Engineering, Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Nagoya, 466-8555, Japan)
,
Yoshida Hideto
(The Institute of Scientific and Industrial Research (ISIR), Osaka University, Osaka, 567-0047, Japan)
,
Takeda Seiji
(The Institute of Scientific and Industrial Research (ISIR), Osaka University, Osaka, 567-0047, Japan)
,
Liang Jianbo
(Graduate School of Engineering, Osaka City University, Osaka, 558-8585, Japan)
,
Shigekawa Naoteru
(Graduate School of Engineering, Osaka City University, Osaka, 558-8585, Japan)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019 号： LTB-3D ページ： 2 発行年： 2019年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。