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文献
J-GLOBAL ID：201902291901058622
整理番号：19A1472854
熱分解による分子ビームエピタクシーにおけるGaNナノワイヤのトップファセットの配向の調整【JST・京大機械翻訳】
Tuning the orientation of the top-facets of GaN nanowires in molecular beam epitaxy by thermal decomposition
Auzelle T.
(Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e. V., Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany)
,
Calabrese G.
(Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e. V., Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany)
,
Fernandez-Garrido S.
(Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e. V., Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany)
,
Fernandez-Garrido S.
(Grupo de Electronica y Semiconductores, Departamento de Fisica Aplicada, Universidad Autonoma de Madrid, Calle Francisco Tomas y Valiente 7, 28049 Madrid, Spain)
資料名：
Physical Review Materials
(Physical Review Materials)
巻： 3 号： 1 ページ： 013402 発行年： 2019年
JST資料番号： W3690A ISSN： 2475-9953 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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