文献
J-GLOBAL ID:201902294268168184
整理番号:19A1414255
高伝導度媒体における高ドープシリコン電極【JST・京大機械翻訳】
Heavily doped silicon electrode for dielectrophoresis in high conductivity media
著者 (3件):
Zhu Xiongfeng
(Department of Mechanical and Aerospace Engineering, University of California at Los Angeles (UCLA), Los Angeles, California 90095, USA)
,
Tung Kuan-Wen
(Department of Mechanical and Aerospace Engineering, University of California at Los Angeles (UCLA), Los Angeles, California 90095, USA)
,
Chiou Pei-Yu
(Department of Mechanical and Aerospace Engineering, University of California at Los Angeles (UCLA), Los Angeles, California 90095, USA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
111
号:
14
ページ:
143506-143506-4
発行年:
2017年
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)