文献
J-GLOBAL ID:201902295476123505
整理番号:19A1716842
二重遮蔽領域を持つ1.2kV SiCトレンチゲートMOSFET【JST・京大機械翻訳】
1.2 kV SiC Trench-Gate MOSFETs with Dual Shielding Regions
著者 (3件):
Agarwal Aditi
(North Carolina State University, Raleigh USA NC)
,
Han Ki Jeong
(North Carolina State University, Raleigh USA NC)
,
Baliga B. Jayant
(North Carolina State University, Raleigh USA NC)
資料名:
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻:
963
ページ:
600-604
発行年:
2019年
JST資料番号:
D0716B
ISSN:
0255-5476
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)