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文献
J-GLOBAL ID：201902298830775815
整理番号：19A2332630
ホットC+イオン注入プロセスを用いたバルクSi基板中のSiCナノドット形成
SiC nano-dot formation in bulk-Si substrate using hot-C+-ion implantation process
MIZUNO Tomohisa
(Kanagawa Univ., Kanagawa, JPN)
,
YAMAMOTO Masaki
(Kanagawa Univ., Kanagawa, JPN)
,
NAKADA Shinji
(Kanagawa Univ., Kanagawa, JPN)
,
IRIE Sho
(Kanagawa Univ., Kanagawa, JPN)
,
AOKI Takashi
(Kanagawa Univ., Kanagawa, JPN)
,
SAMESHIMA Toshiyuki
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58 号： 8 ページ： 081004.1-081004.12 発行年： 2019年08月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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