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文献
J-GLOBAL ID：202002210017242145
整理番号：20A1061715
Au|Pt|n-GaN Schottky障壁ダイオードにおけるコンダクタンス深準位過渡分光法と電流輸送機構【JST・京大機械翻訳】
Conductance Deep-Level Transient Spectroscopy and Current Transport Mechanisms in Au|Pt|n-GaN Schottky Barrier Diodes
Gassoumi M.
(Unite de Recherche Materiaux Avances et Nanotechnologies, Institut Superieur des Sciences Appliquees et de Technologie de Kasserine, Universite de Kairouan, Kasserine, Tunisia)
,
Gassoumi M.
(Department of Physics, College of Science, Qassim University, Buryadh, Saudi Arabia)
資料名：
Physics of the Solid State
(Physics of the Solid State)
巻： 62 号： 4 ページ： 636-641 発行年： 2020年
JST資料番号： W0823A ISSN： 1063-7834 CODEN： PSOSED 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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