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文献
J-GLOBAL ID：202002210306087178
整理番号：20A1126178
酸化物界面電荷を持つ積層酸化物SiO_2/HfO_2円筒ゲートトンネルFETの解析的ドレイン電流モデル【JST・京大機械翻訳】
Analytical drain current model of stacked oxide SiO2/HfO2 cylindrical gate tunnel FETs with oxide interface charge
Singh P K
(Department of Electronics Engineering, Indian Institute of Technology (BHU), Varanasi, India)
,
Baral K
(Department of Electronics Engineering, Indian Institute of Technology (BHU), Varanasi, India)
,
Kumar S
(Department of Electronics Engineering, Indian Institute of Technology (BHU), Varanasi, India)
,
Chander S
(Department of Electronics Engineering, Indian Institute of Technology (BHU), Varanasi, India)
,
Jit S
(Department of Electronics Engineering, Indian Institute of Technology (BHU), Varanasi, India)
資料名：
Indian Journal of Physics
(Indian Journal of Physics)
巻： 94 号： 6 ページ： 841-849 発行年： 2020年
JST資料番号： A1467A ISSN： 0973-1458 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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