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文献
J-GLOBAL ID：202002210795251940
整理番号：20A0496557
エピタキシャル浮上オフ薄膜GaInP/GaAs/GaInAsSb格子整合三重接合太陽電池【JST・京大機械翻訳】
Epitaxial Lifted-Off Thin Film GaInP/GaAs/GaInNAsSb Lattice-Matched Triple Junction Solar Cells
Miyashita Naoya
(The University of Tokyo,Research Center for Advanced Science and Technology (RCAST),Tokyo,Japan,153-8904)
,
Ahsan Nazmul
(The University of Tokyo,Research Center for Advanced Science and Technology (RCAST),Tokyo,Japan,153-8904)
,
Okada Yoshitaka
(The University of Tokyo,Research Center for Advanced Science and Technology (RCAST),Tokyo,Japan,153-8904)
,
Tatavarti Rao
(MicroLink Devices, Inc.,Niles,IL,USA,60714)
,
Wibowo Andree
(MicroLink Devices, Inc.,Niles,IL,USA,60714)
,
Pan Noren
(MicroLink Devices, Inc.,Niles,IL,USA,60714)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019 号： PVSC ページ： 1502-1505 発行年： 2019年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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