文献
J-GLOBAL ID:202002210842521442
整理番号:20A2223066
抵抗スイッチング性能を最適化するためのカルコゲン化物メモリスタの成形法に関する比較研究【JST・京大機械翻訳】
A comparative study on the forming methods of chalcogenide memristors to optimize the resistive switching performance
著者 (2件):
Gogoi Himangshu Jyoti
(Department of Electronics and Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Guwahati, Assam, 781039, India)
,
Mallajosyula Arun Tej
(Department of Electronics and Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Guwahati, Assam, 781039, India)
資料名:
Journal of Physics. D. Applied Physics
(Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻:
53
号:
44
ページ:
445108 (11pp)
発行年:
2020年
JST資料番号:
B0092B
ISSN:
0022-3727
CODEN:
JPAPBE
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)