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J-GLOBAL ID：202002210883416793 整理番号：20A1056907

MOCVDによる厚いn極性InGaNのディジタル成長の最適化【JST・京大機械翻訳】

Optimization of Digital Growth of Thick N-Polar InGaN by MOCVD

著者 (9件)：

Pasayat Shubhra S.

(Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA)

Lund Cory

(Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA)

Tsukada Yusuke

(Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA)

Catalano Massimo

(Istituto Microelettronica e Microsistemi, Consiglio Nazionale delle Ricerche, Via Monteroni, Lecce, Italy)

Wang Luhua

(Department of Materials Science and Engineering, University of Texas Dallas, Richardson, TX, USA)

Kim Moon J.

(Department of Materials Science and Engineering, University of Texas Dallas, Richardson, TX, USA)

Nakamura Shuji

(Materials Department, University of California, Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA)

Keller Stacia

(Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA)

Mishra Umesh K.

(Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA)

資料名：

Journal of Electronic Materials (Journal of Electronic Materials)

巻： 49 号： 6 ページ： 3450-3454 発行年： 2020年
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：ドイツ (DEU) 言語：英語 (EN)

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