文献
J-GLOBAL ID:202002211062350620
整理番号:20A0269645
招待:垂直Ga_2O_3トランジスタのプロセスとキャラクタリゼーション【JST・京大機械翻訳】
Invited: Process and Characterization of Vertical Ga2O3 Transistors
著者 (5件):
Higashiwaki Masataka
(National Institute of Information and Communications Technology,Koganei, Tokyo,Japan,184-8795)
,
Wong Man Hoi
(National Institute of Information and Communications Technology,Koganei, Tokyo,Japan,184-8795)
,
Goto Ken
(Tokyo University of Agriculture and Technology,Department of Applied Chemistry,Koganei, Tokyo,Japan,184-8588)
,
Murakami Hisashi
(Tokyo University of Agriculture and Technology,Department of Applied Chemistry,Koganei, Tokyo,Japan,184-8588)
,
Kumagai Yoshinao
(Tokyo University of Agriculture and Technology,Department of Applied Chemistry,Koganei, Tokyo,Japan,184-8588)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2019
号:
IMFEDK
ページ:
67-68
発行年:
2019年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)