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文献
J-GLOBAL ID:202002211062350620   整理番号:20A0269645

招待:垂直Ga_2O_3トランジスタのプロセスとキャラクタリゼーション【JST・京大機械翻訳】

Invited: Process and Characterization of Vertical Ga2O3 Transistors
著者 (5件):
Higashiwaki Masataka
(National Institute of Information and Communications Technology,Koganei, Tokyo,Japan,184-8795)
Wong Man Hoi
(National Institute of Information and Communications Technology,Koganei, Tokyo,Japan,184-8795)
Goto Ken
(Tokyo University of Agriculture and Technology,Department of Applied Chemistry,Koganei, Tokyo,Japan,184-8588)
Murakami Hisashi
(Tokyo University of Agriculture and Technology,Department of Applied Chemistry,Koganei, Tokyo,Japan,184-8588)
Kumagai Yoshinao
(Tokyo University of Agriculture and Technology,Department of Applied Chemistry,Koganei, Tokyo,Japan,184-8588)

資料名:
IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)

巻: 2019  号: IMFEDK  ページ: 67-68  発行年: 2019年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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