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文献
J-GLOBAL ID：202002211557079872
整理番号：20A2342575
F_4-TCNQで官能化した4H-SiC(0001)ナノファセット上のグラフェンの電子および熱電特性【JST・京大機械翻訳】
Electronic and Thermoelectric Properties of Graphene on 4H-SiC (0001) Nanofacets Functionalized with F4-TCNQ
Euaruksakul Chanan
(Synchrotron Light Research Institute, Nakhon Ratchasima, Thailand)
,
Nakajima Hideki
(Synchrotron Light Research Institute, Nakhon Ratchasima, Thailand)
,
Rattanachata Arunothai
(Synchrotron Light Research Institute, Nakhon Ratchasima, Thailand)
,
Hanna Muhammad Y.
(Research Center for Physics, Indonesian Institute of Sciences (LIPI), Tangerang Selatan, Indonesia)
,
Nugraha Ahmad. R. T.
(Research Center for Physics, Indonesian Institute of Sciences (LIPI), Tangerang Selatan, Indonesia)
,
Boutchich Mohamed
(GeePs | Group of Electrical Engineering - Paris, CNRS, CentraleSupelec, Univ. Paris-Sud, Universite Paris-Saclay, Sorbonne Universite, Gif-sur-Yvette Cedex, France)
,
Boutchich Mohamed
(CINTRA UMI CNRS/NTU/THALES 3288, Singapore, Singapore)
資料名：
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻： 49 号： 11 ページ： 6872-6880 発行年： 2020年
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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