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文献
J-GLOBAL ID：202002211620101752
整理番号：20A1031729
GO/TiO_2/n-Si MOSデバイスの電気的および容量-電圧特性の研究【JST・京大機械翻訳】
Investigation of electrical and capacitance- voltage characteristics of GO/TiO2/n-Si MOS device
Ashery A.
(Solid State Electronics Laboratory, Solid State Physics Department, Physical Research Division, National Research Centre, 33 El-Bohouth St., Dokki, Giza, 12622, Egypt)
,
Shaban H.
(Physics Division, Solid State Physics Department, National Research Centre, 33 El Bohouth St. (Former El Tahrir St.), Dokki, P.O. Box 12622, Giza, Egypt)
,
Gad S.A.
(Physics Division, Solid State Physics Department, National Research Centre, 33 El Bohouth St. (Former El Tahrir St.), Dokki, P.O. Box 12622, Giza, Egypt)
,
Mansour B.A.
(Physics Division, Solid State Physics Department, National Research Centre, 33 El Bohouth St. (Former El Tahrir St.), Dokki, P.O. Box 12622, Giza, Egypt)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 114 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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