文献
J-GLOBAL ID:202002211943657631
整理番号:20A2018312
酸化物/AlGaN/GaNヘテロ界面におけるオフ状態劣化と回復:バンドオフセット,Electronおよび正孔トラッピングの重要性【JST・京大機械翻訳】
Off-State Degradation and Recovery in Oxide/AlGaN/GaN Heterointerfaces: Importance of Band Offset, Electron, and Hole Trapping
著者 (4件):
Jha Jaya
(Applied Quantum Mechanics Laboratory, Indian Institute of Technology Bombay, India)
,
Meer Mudassar
(Applied Quantum Mechanics Laboratory, Indian Institute of Technology Bombay, India)
,
Ganguly Swaroop
(Applied Quantum Mechanics Laboratory, Indian Institute of Technology Bombay, India)
,
Saha Dipankar
(Applied Quantum Mechanics Laboratory, Indian Institute of Technology Bombay, India)
資料名:
ACS Applied Electronic Materials
(ACS Applied Electronic Materials)
巻:
2
号:
7
ページ:
2071-2077
発行年:
2020年
JST資料番号:
W5669A
ISSN:
2637-6113
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)