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文献
J-GLOBAL ID：202002211943657631
整理番号：20A2018312
酸化物/AlGaN/GaNヘテロ界面におけるオフ状態劣化と回復:バンドオフセット,Electronおよび正孔トラッピングの重要性【JST・京大機械翻訳】
Off-State Degradation and Recovery in Oxide/AlGaN/GaN Heterointerfaces: Importance of Band Offset, Electron, and Hole Trapping
Jha Jaya
(Applied Quantum Mechanics Laboratory, Indian Institute of Technology Bombay, India)
,
Meer Mudassar
(Applied Quantum Mechanics Laboratory, Indian Institute of Technology Bombay, India)
,
Ganguly Swaroop
(Applied Quantum Mechanics Laboratory, Indian Institute of Technology Bombay, India)
,
Saha Dipankar
(Applied Quantum Mechanics Laboratory, Indian Institute of Technology Bombay, India)
資料名：
ACS Applied Electronic Materials
(ACS Applied Electronic Materials)
巻： 2 号： 7 ページ： 2071-2077 発行年： 2020年
JST資料番号： W5669A ISSN： 2637-6113 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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