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J-GLOBAL ID：202002212112012372 整理番号：20A0646946

プラズマ支援分子ビームエピタクシーにより成長させたGaN膜特性に及ぼす成長速度の影響に関する研究【JST・京大機械翻訳】

Study on the effects of growth rate on GaN films properties grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy

著者 (12件)：

Zhang HePeng

(Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China)

,

Xue JunShuai

(Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China)

,

Fu YongRui

(Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China)

,

Yang Mei

(Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China)

,

Zhang YaChao

(Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China)

,

Duan XiaoLing

(Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China)

,

Qiang WeiTing

(Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China)

,

Li LanXing

(Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China)

,

Sun ZhiPeng

(Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China)

,

Ma XiaoHua

(Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China)

,

Zhang JinCheng

(Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China)

,

Hao Yue

(Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China)

資料名：

Journal of Crystal Growth (Journal of Crystal Growth)

巻： 535 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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