文献
J-GLOBAL ID:202002212657382915
整理番号:20A0874707
先進SOT-MRAMのための対称垂直磁気自由層の効率的な磁場フリースイッチング【JST・京大機械翻訳】
Efficient Magnetic Field-Free Switching of a Symmetric Perpendicular Magnetic Free Layer for Advanced SOT-MRAM
著者 (7件):
de Orio Roberto L.
(Christian Doppler Laboratory for Nonvolatile Magnetoresistive Memory and Logic at the)
,
Makarov Alexander
(Institute for Microelectronics, TU,Wien,Austria)
,
Selberherr Siegfried
(Institute for Microelectronics, TU,Wien,Austria)
,
Goes Wolfgang
(Silvaco Europe Ltd.,Cambridge,United Kingdom)
,
Ender Johannes
(Christian Doppler Laboratory for Nonvolatile Magnetoresistive Memory and Logic at the)
,
Fiorentini Simone
(Christian Doppler Laboratory for Nonvolatile Magnetoresistive Memory and Logic at the)
,
Sverdlov Viktor
(Christian Doppler Laboratory for Nonvolatile Magnetoresistive Memory and Logic at the)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2019
号:
EUROSOI-ULIS
ページ:
1-4
発行年:
2019年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)