文献
J-GLOBAL ID:202002213321374568
整理番号:20A1240547
448K以上の高い動的ロバスト性と高い動作温度を目標としたシリコンベースパワーダイオードのためのNバッファ設計【JST・京大機械翻訳】
N-Buffer Design for Silicon-Based Power Diode Targeting High Dynamic Robustness and High Operating Temperature Over 448 K
著者 (3件):
Nakamura Katsumi
(Mitsubishi Electric Corporation Power Device Works, Fukuoka, Japan)
,
Nishizawa Shin-Ichi
(Department of Aeronautics and Astronautics, Research Institute for Applied Mechanics, Kyushu University, Fukuoka, Japan)
,
Furukawa Akihiko
(Mitsubishi Electric Corporation Power Device Works, Fukuoka, Japan)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
67
号:
6
ページ:
2437-2444
発行年:
2020年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)