文献
J-GLOBAL ID:202002213619424771
整理番号:20A1341564
クロスポイントアレイ用のサブμm a-IGZO,完全集積化,プロセス改善,垂直ダイオード【JST・京大機械翻訳】
Sub-μm a-IGZO, Fully integrated, Process improved, Vertical diode for Crosspoint arrays
著者 (11件):
Sharifi S. Houshmand
(IMEC,Leuven,Belgium,3001)
,
Chasin A.
(IMEC,Leuven,Belgium,3001)
,
Fantini A.
(IMEC,Leuven,Belgium,3001)
,
Dekkers H.
(IMEC,Leuven,Belgium,3001)
,
Mao M.
(IMEC,Leuven,Belgium,3001)
,
Nag M.
(IMEC,Leuven,Belgium,3001)
,
Mertens S.
(IMEC,Leuven,Belgium,3001)
,
Rao S.
(IMEC,Leuven,Belgium,3001)
,
Jossart N.
(IMEC,Leuven,Belgium,3001)
,
Crotti D.
(IMEC,Leuven,Belgium,3001)
,
Kar G. S.
(IMEC,Leuven,Belgium,3001)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2020
号:
IMW
ページ:
1-4
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)