前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：202002213639967317
整理番号：20A1268127
両極性を低減し静電完全性を向上させたSOI Schottky障壁ナノワイヤMOSFET【JST・京大機械翻訳】
SOI Schottky Barrier Nanowire MOSFET with Reduced Ambipolarity and Enhanced Electrostatic Integrity
Saxena Amit
(University School of Information and Communication Technology, Guru Gobind Singh Indraprastha University, New Delhi, India)
,
Kumar Manoj
(Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology, Delhi, New Delhi, India)
,
Sharma R. K.
(Department of Electronics and Communication Engineering, Ambedkar Institute of Advanced Communication Technologies and Research, New Delhi, India)
,
Gupta R. S.
(Department of Electronics and Communication Engineering, Maharaja Agrasen Institute of Technology, New Delhi, India)
資料名：
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻： 49 号： 7 ページ： 4450-4456 発行年： 2020年
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。