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文献
J-GLOBAL ID:202002214697787778   整理番号:20A1230953

機械学習を活用したSiC高品質結晶成長条件のデザイン

Design of High-quality SiC Solution Growth Condition Assisted by Machine Learning
著者 (10件):
原田俊太
(名古屋大学未来材料・システム研究所)
原田俊太
(名古屋大学大学院工学研究科)
Lin Hung-Yi
(名古屋大学大学院工学研究科 (現在ローム株式会社))
角岡洋介
(名古屋大学大学院工学研究科 (現在ローム株式会社))
Zhu Can
(名古屋大学未来材料・システム研究所)
鳴海大翔
(名古屋大学ベンチャービジネスラボラトリ (現在京都大学大学院工学研究科))
沓掛健太朗
(理化学研究所革新知能統合研究センター)
宇治原徹
(名古屋大学未来材料・システム研究所)
宇治原徹
(名古屋大学大学院工学研究科)
宇治原徹
(産業総合研究所 窒化物先進デバイスオープンイノベーションラボラトリ)

資料名:
まてりあ  (Materia Japan)

巻: 59  号:ページ: 145-152(J-STAGE)  発行年: 2020年 
JST資料番号: F0163A  ISSN: 1340-2625  CODEN: MTERE2  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 文献レビュー  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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