文献
J-GLOBAL ID:202002214930121856
整理番号:20A0018684
デュアルゲート低電圧有機トランジスタに基づく圧力センサのセンシング機構の研究【JST・京大機械翻訳】
Investigation of the sensing mechanism of dual-gate low-voltage organic transistor based pressure sensor
著者 (5件):
Ogunleye Olamikunle Osinimu
(School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology, 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa, 923-1211, Japan)
,
Ogunleye Olamikunle Osinimu
(Department of Physics, Federal University Lokoja, Lokoja, P.M.B 1154, Nigeria)
,
Sakai Heisuke
(School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology, 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa, 923-1211, Japan)
,
Ishii Yuya
(Faculty of Fiber Science and Engineering, Kyoto Institute of Technology, Kyoto, Kyoto, 606-8585, Japan)
,
Murata Hideyuki
(School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology, 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa, 923-1211, Japan)
資料名:
Organic Electronics
(Organic Electronics)
巻:
75
ページ:
Null
発行年:
2019年
JST資料番号:
W1352A
ISSN:
1566-1199
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)