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J-GLOBAL ID：202002215125694449 整理番号：20A1258538

置換ベンゾビスベンゾチオフェン(BBBT)半導体結晶における層状分子充填の構築【JST・京大機械翻訳】

Architecting layered molecular packing in substituted benzobisbenzothiophene (BBBT) semiconductor crystals

著者 (8件)：

Higashino Toshiki

(Electronics and Photonics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, 305-8565, Japan. t-higashino@aist.go.jp)

Arai Shunto

Inoue Satoru

Tsuzuki Seiji

Shimoi Yukihiro

Horiuchi Sachio

Hasegawa Tatsuo

Azumi Reiko

資料名：

CrystEngComm (CrystEngComm)

巻： 22 号： 21 ページ： 3618-3626 発行年： 2020年
JST資料番号： W2462A ISSN： 1466-8033 CODEN： CRECF4 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

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